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11月底，罗门哈斯电子材料(股份)公司CMP技术部门，日前又研发出另一种应用于半导体器件中铜配线的低应力一低压力下化学机械研磨工艺(chemical mechanical planarization，CMP)，更趋完善的新型介质阻障层研磨液(barrier slurry)。以90nm和65nm线宽的化学机械研磨为设计方向的SSA介质阻障层研磨液，性能稳定，缺陷率极低，而且工艺窗口很宽，因而能够提高产量并降低低介电值(low—k)材料介质的使用成本。不论是加盖式还是无盖式集成方案，都已得到了客户的承认，和传