【摘 要】
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目的：通过染色体G显带技术研究辐射后染色体的结构畸变情况。方法：4MV的X线辐射离体入血,淋巴细胞培养后,应用染色体G显带技术,分析辐射后染色体的结构畸变情况,包括双着丝粒、
【机 构】
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西安交通大学第一附属医院分子医学实验室,陕西省肿瘤医院
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目的：通过染色体G显带技术研究辐射后染色体的结构畸变情况。方法：4MV的X线辐射离体入血,淋巴细胞培养后,应用染色体G显带技术,分析辐射后染色体的结构畸变情况,包括双着丝粒、缺失、易位、环状染色体、染色体片段,等。结果：辐射后观察分散良好、形态清晰的细胞核型100个,染色体畸变总数为428,其中双着丝粒、缺失、易位、环状染色体、染色体片段的发生数分别为86、41、111、9、181。分析各号染色体辐射后畸变情况,未见明显差异。结论：染色体G带分析可以提供较丰富的染色体结构畸变信息。
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