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阐述铜线键合时铝焊盘下氧化物电介质破裂及键合导致芯片失效的原因和机理,针对这一问题,通过工艺优化增加顶层铝焊盘厚度和顶层铝焊盘下面的氧化物电介质厚度,并结合焊盘结构的变化,有效解决铜线键合时铝焊盘下氧化物电介质破裂问题,进而改善芯片的功能性失效。
芯片焊盘结构及工艺变化对于铜线键合的影响
【摘 要】
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阐述铜线键合时铝焊盘下氧化物电介质破裂及键合导致芯片失效的原因和机理,针对这一问题,通过工艺优化增加顶层铝焊盘厚度和顶层铝焊盘下面的氧化物电介质厚度,并结合焊盘结
【机 构】
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上海华虹宏力半导体制造有限公司
【出 处】
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集成电路应用
【发表日期】
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2021年4期
【基金项目】
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上海市经济和信息化委员会软件和集成电路产业发展专项基金(1500223)。
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