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最近日本东工大成功地制备了1.62微米波长的 InGaAsP/InP 隐埋异质结激光器。器件的条宽3~5微米,腔长310~330微米,最低的室温脉冲阈值电流为25毫安,室温连续波阈值为37毫安,三倍阈值以上获得单横模工作。器件的工艺步骤是:在含有防回熔层的双异质结片子上用化学汽相淀积法形成 SiO2膜,并用普通的光刻技术形成沿(110)方向的5~8微米宽的条,接着用 Br-CH3OH 腐蚀2微米深,然后用4HCl-H2O 溶液在0~1℃下选择腐蚀2分钟以去除 InP 部分(腐蚀