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用RAP法(reactivo atmosphere process)处理KCl熔体,在不改变生长气氛和RAP继续处理的情况下,提拉生长KCl晶体,以解决高纯、大尺寸、生长速度快、成品率高和有较大经济效益的问题。
用RAP法引上技术生长KCL晶体
【摘 要】
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用RAP法(reactivo atmosphere process)处理KCl熔体,在不改变生长气氛和RAP继续处理的情况下,提拉生长KCl晶体,以解决高纯、大尺寸、生长速度快、成品率高和有较大经济效益的
【机 构】
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黑龙江省科学院技术物理研究所,黑龙江省科学院技术物理研究所
【出 处】
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硅酸盐学报
【发表日期】
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1990年4期
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