【摘 要】
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报告了采用凹槽栅场板结构的GaN微波功率HEMT管芯,优化了场板结构和工艺参数,制作了0.8mm和2.4mm栅宽的管芯。采用该管芯制作了两级放大的功率模块,该模块匹配电路制作在380u
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报告了采用凹槽栅场板结构的GaN微波功率HEMT管芯,优化了场板结构和工艺参数,制作了0.8mm和2.4mm栅宽的管芯。采用该管芯制作了两级放大的功率模块,该模块匹配电路制作在380um厚的Al2O3陶瓷基片上,匹配电容制作在180um厚的高介电常数的陶瓷基片上。电感采用25um直径的金丝拟合,电路结构采用单电源结构。该模块在11~12GHz、28V工作电压下,饱和输出功率达到了8W,功率增益为12dB,功率附加效率(PAE)为30%,实现了低电流、高效、高可靠性、可实用的功率模块。该模块是迄今为止采用单
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