【摘 要】
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于1960年在米兰第八届熔融盐学术会议上提出了关于在电解槽上使用氮化硼的問題。指出,氮化硼具有良好的絕緣性能(在1000℃时共电阻为10~4欧姆·厘米,但在同样的温度下,石墨
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于1960年在米兰第八届熔融盐学术会议上提出了关于在电解槽上使用氮化硼的問題。指出,氮化硼具有良好的絕緣性能(在1000℃时共电阻为10~4欧姆·厘米,但在同样的温度下,石墨的电阻則为10~(-3)欧姆·厘米);氮化硼的閉口孔隙率为3％(体积),而石墨的开口孔隙
In 1960 at the Eighth Salt Melting Conference in Milan on the use of boron nitride on the cell. It is pointed out that boron nitride has a good insulating property (a resistance of 10 to 4 ohm-cm at 1000 ° C but a resistance of 10 to -3 ohm-cm at the same temperature), nitriding The closed porosity of boron is 3% by volume, while the open porosity of graphite
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