论文部分内容阅读
为适应光谱分割技术的需求，我们采用ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ单量子阱外延片，用直接耦合的方法将超辐射发光管与半导体光放大器单片集成，制得了１．３μｍ长波长超辐射集成光源，取得了初步的实验结果，验证了这种长波长集成器件的可行性。脉冲输出功率与长波长超辐射发光管相比有很大提高。半导体光放大器的增益达到１９ｄＢ。