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第3代半导体材料即宽禁带半导体材料，又称高温半导体材料，主要包括碳化硅（siC）、氮化镓（GaN）、氮化铝（AlN）、氧化锌（Zn0）、金刚石等。这类材料具有宽的禁带宽度（禁带宽度大于2．2eV）、高的热导率、
第3代半导体材料发展现状及建议
【摘 要】
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第3代半导体材料即宽禁带半导体材料，又称高温半导体材料，主要包括碳化硅（siC）、氮化镓（GaN）、氮化铝（AlN）、氧化锌（Zn0）、金刚石等。这类材料具有宽的禁带宽度（禁带宽度大于2．2eV）、高的
【机 构】
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工业和信息化部原材料工业研究所
【出 处】
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新材料产业
【发表日期】
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2015年10期
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