论文部分内容阅读
以N2为P型掺杂源,利用射频磁控溅射技术,通过改变O2:N2比制备了不同N掺杂量的P型ZnO薄膜,详细研究分析了N掺杂ZnO薄膜的PL谱及电学性能.结果表明,随着O2:N2的变化,不仅薄膜的峰位发生了变化,其强度也进行相应的变化.当O2:N2为10:10时,薄膜具有三个发光峰,且UV峰发光强度最大,此时薄膜呈现出明显的P型特征.