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Fabrication of a novel RF switch device with high performance using In_(0.4)Ga_(0.6)As MOSFET techno

来源 :null | 被引量 : 0次 | 上传用户：longzy773

【作 者】

：

周佳辉  常虎东  张旭芳  杨靖治  刘桂明  李海鸥  刘洪 

【出 处】

：

null

【发表日期】

：

2016年02期

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