【摘 要】
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GaAs MESFET的分析模型虽然能得出FET应用的许多基本特征,但不能分析诸如陷阱,衬底导电、由碰撞电离(雪崩)造成的载流子倍增,二维几何特征(例如凹槽)等的二维物理机制。分析
【机 构】
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Raython公司,Raython公司,波士顿大学电子工程学
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GaAs MESFET的分析模型虽然能得出FET应用的许多基本特征,但不能分析诸如陷阱,衬底导电、由碰撞电离(雪崩)造成的载流子倍增,二维几何特征(例如凹槽)等的二维物理机制。分析这些特征的模型只能用二维数值模拟精确描述。然而二维数值模拟计算量大,成本高,使传统的串行机负担过重。应用当代超级处理机大规模并行计算机,例如联结机CM—2可以解决这些问题。本文目的在于介绍应用CM-2对MESFET进行模拟的探索性研究,并将给出特定器件在活动区域内工作过程的彩色显示,以说明这种计算机在FET建模和特征研究方面的能
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