【摘 要】
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本文采用旋涂成膜的方法,以ZnCdSe/ZnS核壳结构量子点为发光层,制备了类似三明治结构的ITO/PEDOT:PSS/TFB/QD/ZnO/Al发光器件,系统地研究了不同的旋涂速率对器件光电性能的影
【机 构】
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国家电光源产品监督检验测试中心（河南）,郑州师范学院
【基金项目】
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河南省质量技术监督局科技项目:2017zj15
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本文采用旋涂成膜的方法,以ZnCdSe/ZnS核壳结构量子点为发光层,制备了类似三明治结构的ITO/PEDOT:PSS/TFB/QD/ZnO/Al发光器件,系统地研究了不同的旋涂速率对器件光电性能的影响。实验结果表明,随着旋涂速率的降低,器件的电流密度和亮度逐渐下降,启亮电压升高,而EQE随着量子点层厚度的增加呈现出上升的趋势。其中在3000 rpm条件下有最低的启动电压2.2 V,在2000 rpm条件下有最大的EQE 14%。
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