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本文通过产品结构设计、工艺设计及可靠性设计,保证了产品的耗散功率PD和电流容量IC,且减少了芯片面积;在保证高的VCBO前提下,减少漂移区电阻率和厚度,选取合适的基区宽度,以减小饱和压降VCE（sat）;控制封装热阻,提高产品的热稳定性。
达林顿功率晶体管工作热稳定性的研究
【摘 要】
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本文通过产品结构设计、工艺设计及可靠性设计,保证了产品的耗散功率PD和电流容量IC,且减少了芯片面积;在保证高的VCBO前提下,减少漂移区电阻率和厚度,选取合适的基区宽度,以
【机 构】
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西安卫光科技有限公司
【出 处】
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科学技术创新
【发表日期】
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2018年28期
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