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metal/porous silicon/p-silicon 的当前的电压曲线上的可见校正效果被当前察觉到的原子力量显微镜学观察了。有不同的孔的多孔的硅膜的当前的电压曲线，通过在一经常的时间蚀刻气流密度的变化准备了，显示一个更高的孔导致一个更高的电阻并且这样更低的校正，直到电流在一个孔到达阀值 >55% 。我们建议在有孔的多孔的硅膜的传导力模式>55%主要是在在多孔的硅之间的nano雏晶和一个反的静态的电场之间的跳跃机制，希腊语的第二十三个字母接口阻止多孔的硅接近电子注射到希腊语的第二十三个字