【摘 要】
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基于FET倍频原理,选取NEC公司型号为NE900100的金属半导体接触势垒场效应晶体管(Metal Epitaxial-Semiconductor Field Effect Transistor,MESFET),采用单扇形偏置电路代替传
【基金项目】
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国家自然科学基金项目(61102026);重庆邮电大学自然科学基金项目(A2015-47)
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基于FET倍频原理,选取NEC公司型号为NE900100的金属半导体接触势垒场效应晶体管(Metal Epitaxial-Semiconductor Field Effect Transistor,MESFET),采用单扇形偏置电路代替传统高频短路块,同时采用新型四分之一波长交趾耦合滤波器取代传统隔直电容与滤波器,在ADS软件中设计了一种单板X波段微带二倍频器。仿真结果表明,输入功率为10 dBm时毫米波二倍频器输出功率大于5 dBm(11.8~12.2 GHz),谐波抑制大于15 dB。实验测试结果验证
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