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良率(yield)是反应集成电路产品成品率的一项关键参数,在实际生产中由于晶圆边缘的平整度等与晶圆中心存在很大的差异,导致晶圆边缘有效芯片(die)的良率很容易受多种因素的影响,造成良率损失,因此提高晶圆边缘有效die的良率是光刻工艺的一个研究重点。本文通过对比分析正常和异常die中对聚焦值(focus)变化影响较敏感的光阻稀疏沟槽图形(ISO trench image)差异,在明确了散焦(defocus)程度和产生原因的前提下,提出了一种新的结合晶圆载物台倾斜(wafer stage tilt)加上曝光