电沉积制备CuInSe2薄膜及性能研究

来源 :武汉理工大学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：ilytotti

【摘要】

：

采用Mo/钠钙玻璃衬底为研究电极,饱和甘汞电极(SCE)为参比电极,大面积的铂网电极为辅助电极的三电极体系,以氯化铜、三氯化铟、亚硒酸的水溶液为电解液,在镀钼的钠钙玻璃衬底

【作者】

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周学东赵修建夏冬林李建庄

【机构】

：

武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室

【出处】

：

武汉理工大学学报

【发表日期】

：

2005年7期

【关键词】

：

CUINSE2 薄膜电沉积太阳能电池 CuInSe_2 thin films electrodeposition solar cells

【基金项目】

：

武汉理工大学校科研和教改项目

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采用Mo/钠钙玻璃衬底为研究电极,饱和甘汞电极(SCE)为参比电极,大面积的铂网电极为辅助电极的三电极体系,以氯化铜、三氯化铟、亚硒酸的水溶液为电解液,在镀钼的钠钙玻璃衬底上利用电沉积技术制备出太阳能电池用CuInSe2薄膜.通过EDS、XRD和SEM对制备的CuInSe2薄膜进行了表征,实验结果表明利用电沉积方法可以制备出晶粒分布均匀的黄铜矿结构的CuInSe2薄膜,禁带宽度为1.14 eV左右,具有高的吸收系数.

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