以Zn（NH4）3Cl5为输运剂气相生长ZnSe单晶

来源 :材料研究学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：jianting520

【摘要】

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以化合物Zn(NH4)3Cl5为气相输运剂,ZnSe多晶为原料,用化学气相输运技术(CVT)在封闭石英管中生长出直径9 m m、长度25 mm的Zn1+0 031Se单晶晶体生长区的温度为898～915℃,温度梯

【作者】

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李焕勇介万奇

【机构】

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西北工业大学凝固技术国家重点实验室

【出处】

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材料研究学报

【发表日期】

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2003年4期

【关键词】

：

无机非金属材料 ZnSe体单晶化学气相输运技术 Zn(NH4)3C15 输运剂 Agents Crystal growth Light emission Op

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以化合物Zn(NH4)3Cl5为气相输运剂,ZnSe多晶为原料,用化学气相输运技术(CVT)在封闭石英管中生长出直径9 m m、长度25 mm的Zn1+0 031Se单晶晶体生长区的温度为898～915℃,温度梯度为1.5℃@cm-1,生长周期为21 d.晶体生长端由{111}和{100}单形包围.用RO-XRD技术研究了晶体的结晶质量,ZnSe(111)的RO-XRD谱的FWHM为24 s.光致发光特性研究表明,Zn1+0.031Se单晶体的PL谱由Fx(439 nm)和BBT(418 nm)等发光峰组

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