【摘 要】
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采用磁控溅射法在单晶硅和石英玻璃衬底上制备梯度铝掺杂的氧化锌（AZO）薄膜。利用X线衍射（XRD）、霍尔效应测试和紫外可见光分度计等研究了不同氩氧比（体积比）对梯度AZO薄膜结构和光
【机 构】
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辽宁工业大学材料科学与工程学院,中国科学院嘉兴微电子仪器与设备工程中心
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采用磁控溅射法在单晶硅和石英玻璃衬底上制备梯度铝掺杂的氧化锌（AZO）薄膜。利用X线衍射（XRD）、霍尔效应测试和紫外可见光分度计等研究了不同氩氧比（体积比）对梯度AZO薄膜结构和光电性能的影响。结果表明,氩氧比可以改善薄膜的结晶质量,且对电学性能的影响较大。随着氩氧比的增加,晶粒尺寸减小,结晶度稍有下降,薄膜的电阻率却显著降低,当氩氧比为1∶0时,薄膜具有最低的电阻率为6.85×10-（-4）Ω·cm。此外,所有的梯度AZO薄膜在可见光区的透过率均达到80%。
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