【摘 要】
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基于CSMC 0.5μm BCD工艺,设计了一种具有高电源抑制比的带隙基准电路。此电路可以在较宽电源电压(4~36V)范围内实现较小的温度系数变化,-40℃~125℃范围内的温度系数为8.93
【机 构】
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电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室;
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基于CSMC 0.5μm BCD工艺,设计了一种具有高电源抑制比的带隙基准电路。此电路可以在较宽电源电压(4~36V)范围内实现较小的温度系数变化,-40℃~125℃范围内的温度系数为8.93×10-6/℃~9.02×10-6/℃。通过将基准参考点设置于负反馈环路中,能够有效地提高基准电路的电源抑制性能。当电源电压为4~36V时,电源抑制比分别为-132~-98dB@dc,-54.7~-55.5dB@1 MHz,线性调整率为0.009%/V,满足DC-DC转换器的应用需求。
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