【摘 要】
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By using x-ray diffraction analysis,we investigate the major structural parameters such as strain state and crystal quality of non-polar a-plane InxGa1-xN thin
【机 构】
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Key Laboratory of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of S
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By using x-ray diffraction analysis,we investigate the major structural parameters such as strain state and crystal quality of non-polar a-plane InxGa1-xN thin films grown on r-sapphire substrates by metalorganic chemical vapour deposition.The results of the inplane grazing incidence diffraction technique are analyzed and compared with a complementary out-of-plane high resolution x-ray diffraction technique.When the indium composition is low,the a-plane InxGa1-xN layer is tensile strain in the growth direction (a-axis) and compressive strain in the two in-plane directions (m-axis and c-axis).The strain status becomes contrary when the indium composition is high.The stress in the m-axis direction σyy is larger than that in the c-axis direction σzz.Furthermore,strain inthe two in-plane directions decrease and the crystal quality becomes better with the growing of the InxGa1-xN film.
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