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目的 阐明不同剂量电离辐射对人外周血淋巴细胞中DNA损伤修复相关基因(hOGG1、MGMT、PPP2R1A和PPP2R2D)转录水平的影响.方法 抽取志愿者外周静脉约30mL,分置于7支肝锂捌凝管中,以剂量率为0.38 mGy· min-1的60Co γ射线(剂量分别为0、0.1、0.2、0.4、0.8、1.6和3.2 Gy)对人外周血照射后培养12h,分离外周血淋巴细胞,提取总RNA并进行定量和纯度分析.采用实时荧光定量聚合酶链式反应(qRT-PCR)的方法分析不同剂量电离辐射诱导DNA损伤修复相关基因hOGG1、MGMT、PPP2R1A和PPP2R2D基因转录水平的变化.结果 hOGG1基因、MGMT基因和PPP2R2D基因的mRNA转录水平均在0.1 Gy时达到峰值.PPP2R1A基因的mRNA转录水平在0.2 G-y剂量时达到峰值.hOGG1基因转录水平在0.1和0.2 Gy剂量组均较对照组显著增高,差异均具有统计学意义(P＜0.05).MGMT基因转录水平在0.1、0.2和0.8Gy剂量组均明显高于对照组,差异均具有统计学意义(P＜0.05).PPP2R1A基因转录水平在0.2 Gy剂量组比对照组明显增高,在3.2Gy剂量组比对照组明显降低,差异均具有统计学意义(P＜0.05).PPP2R2D基因转录水平在0.1、0.2、0.4和0.8Gy剂量组均明显高于对照组,3.2 Gy剂量组比对照组明显降低,差异均具有统计学意义(P＜0.05).结论 不同剂量电离辐射均可诱导DNA损伤修复相关的应答基因hOGG1、MGMT、PPP2R1A和PPP2R2D的转录水平改变,适宜剂量的电离辐射(0.1～0.2 Gy)可诱导细胞产生辐射兴奋效应或适应性反应.