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以纯度为99．9％的98％（质量分数）ZnO、2％（质量分数）A12O3陶瓷靶为溅射靶材，采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了Al203掺杂的ZnO薄膜。采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、紫外可见光谱仪等方法测试和分析了不同衬底温度、溅射偏压以及退火工艺对ZAO薄膜形貌结构、光电学性能的影响。结果表明，在衬底温度200℃、溅射时间30min、负偏压60V、退火温度300℃时制得的薄膜的可见光透过率为81％，最低电阻率为9．2×10^-4Ω·cm。