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室温下，用直流磁控反应溅射方法在Ｎ２／Ａｒ混合气体在沉积了ＡｌＮ薄膜，所用衬底是（１００）面的半绝缘ＧａＡｓ单晶片，研究了反应条件，如反应气压，反应气体配比，直流功率，对薄膜的物理性质和化学性质的影响，为了得到适于ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ钝化的薄膜，还对反应条件进行了优化。
直流磁控溅射制备用于GaAs MESFET钝化的AlN的工艺研究
【摘 要】
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室温下，用直流磁控反应溅射方法在Ｎ２／Ａｒ混合气体在沉积了ＡｌＮ薄膜，所用衬底是（１００）面的半绝缘ＧａＡｓ单晶片，研究了反应条件，如反应气压，反应气体配比，直流功率，对薄膜的物理性质和化学性质的影响，为了得到
【机 构】
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西安交通大学微电子所,南京电子器件研究所
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1999年8期
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