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研究了铜基ODS的组织与性能。结果表明，采用内氧化方法生产的铜基OD620，在纯铜基体上原位生成弥散、10nm左右的γ-Al2O3微粒。该材料导电率约90％IACS，比纯铜导电率约降低10％。加工状态的室温强度可达到610MPa，在1173K保温1．5h，硬度达到室温硬度的86％，表明软化温度高于1173K。经1273K＋1．5h退火，晶粒平均直径小于1μm，Al2O3微粒不发生熔解、聚集、长大等现象。