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技术概览第三代完全电介质绝缘的互补SiGe BiCMOS工艺(BiCom3)是针对超高速高精度模拟集成电路而设计的.上述器件的工作电压为5V,可在广泛的温度范围内工作,其fT的范围为15～20GHz,fmax的值在40～50GHz的范围,最小化了集电极到基板的寄生现象.
超高速高精度模拟电路SOI上的5V互补SiGe BiCMOS技术
【摘 要】
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技术概览第三代完全电介质绝缘的互补SiGe BiCMOS工艺(BiCom3)是针对超高速高精度模拟集成电路而设计的.上述器件的工作电压为5V,可在广泛的温度范围内工作,其fT的范围为15～20
【机 构】
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TEXASINSTRUMENTS
【出 处】
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今日电子
【发表日期】
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2005年7期
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