【摘 要】
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基于分段线性函数,提出一种新的对模拟器件进行建模的方法,并提出乐观、悲观两种数据拟合算法,两种算法均能较好地拟合MOS管参数。模型建立之后,利用几何规划对电路性能进行
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基于分段线性函数,提出一种新的对模拟器件进行建模的方法,并提出乐观、悲观两种数据拟合算法,两种算法均能较好地拟合MOS管参数。模型建立之后,利用几何规划对电路性能进行优化。乐观算法会得到较好的电路性能,但可能不满足约束条件;悲观算法能够严格满足约束条件,但是得到的电路性能未必最优。在此基础上,提出一种基于响应曲面方法的折衷优化算法,能够得到综合考虑电路性能和约束条件的电路设计参数。最后,以两级放大器为优化实例,证明该方法的有效性。
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