【摘 要】
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新型高性能、高电压集成半桥IGBT驱动芯片IR22141集成两路独立的驱动和保护电路,驱动能力强,电源设计简单,体积封装小,易于逆变器的小型化设计。给出了驱动IC与类似产品的显
【机 构】
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西安交通大学机械工程学院,西北工业大学 西安710049,西安710072
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新型高性能、高电压集成半桥IGBT驱动芯片IR22141集成两路独立的驱动和保护电路,驱动能力强,电源设计简单,体积封装小,易于逆变器的小型化设计。给出了驱动IC与类似产品的显著性能特点,介绍了它在便携式电站逆变电源中的应用;讨论了设计中应注意的问题。实验结果证明,该集成电路性能好,能够对IGBT进行可靠地驱动和保护。
The new high-performance, high-voltage integrated half-bridge IGBT driver IC IR22141 integrated two independent drive and protection circuit, strong drive power, simple power supply design, small size package, easy inverter miniaturization design. The significant performance characteristics of driver ICs and similar products are given. Its application in inverter power supply of portable power station is introduced. Problems that should be paid attention to in the design are discussed. The experimental results show that the integrated circuit has good performance and can reliably drive and protect the IGBT.
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