KOH处理对ZnO纳米棒阵列结构及光电性能的影响

来源 :中国有色金属学报:英文版 | 被引量 : 0次 | 上传用户:bird2000521
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采用简单的化学沉积结合KOH碱刻蚀的方法,在导电玻璃(FTO)上生长ZnO纳米棒阵列(ZnO NRs)。用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、电流-电压(I-V)曲线对所得样品的晶型、形貌及光电性能进行测试,结果表明:ZnO NRs呈纤铅矿型;ZnO NRs的形貌及光电性能与KOH的浓度及刻蚀时间密切相关,经0.1 mol/L KOH刻蚀1 h后可得到排列高度有序且分布均匀的ZnO NRs;KOH刻蚀后的ZnO NRs与未刻蚀前高密度的ZnO NRs相比,其光学性能得到提高。0.1 mol/L
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