【摘 要】
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研究了采用感应耦合等离子体-原子发射光谱技术表征高剂量氧注入单晶硅制备SIMOX—SOI材料过程中金属杂质污染的有效性．同时研究了采用强酸清洗、加SiO2膜覆盖等方法对降低污
【机 构】
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北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室,北京师范大学物理系,北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室
【基金项目】
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国家自然科学基金 (批准号 :699760 0 5 ),北京市科委(合同号 :95 5 0 3 12 0 0 0 )资助项目~~
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研究了采用感应耦合等离子体-原子发射光谱技术表征高剂量氧注入单晶硅制备SIMOX—SOI材料过程中金属杂质污染的有效性．同时研究了采用强酸清洗、加SiO2膜覆盖等方法对降低污染程度的效果．利用ICP技术可以对大面积或整个硅片进行采样，检测结果是一种整体的平均效果．采用强流氧注入机进行高剂量氧注入，发现金属杂质污染元素主要是Al、Ar、Fe、Ni；注入后强酸清洗样品可有效降低Al污染；60nm厚的二氧化硅注入保护膜可阻挡一半的上述金属污染．
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