基于硫蒸气处理转移的单层二硫化钼的荧光增强

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【摘要】

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采用化学气相沉积法在SiO2/Si衬底上制备了单层MoS2,再通过300℃硫蒸气处理用聚甲基丙烯酸甲酯(Polymethyl Methacrylate,PMMA)转移下的单层MoS2.使用原子力显微镜、真空荧光

【作者】

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王思雨徐颖刘玉春

【机构】

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上海理工大学光电与计算机工程学院集成光机电实验室

【出处】

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光子学报

【发表日期】

：

2020年3期

【关键词】

：

二硫化钼化学气相沉积法硫蒸气处理硫空位荧光增强 Molybdenum disulfideChemical vapor depositionSulfur

【基金项目】

：

国家自然科学基金面上项目(No.11674230)

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采用化学气相沉积法在SiO2/Si衬底上制备了单层MoS2,再通过300℃硫蒸气处理用聚甲基丙烯酸甲酯(Polymethyl Methacrylate,PMMA)转移下的单层MoS2.使用原子力显微镜、真空荧光检测和拉曼光谱等手段表征了样品的形貌和光致发光性能.结果表明:经过硫蒸气处理转移后的单层MoS2的光致发光强度比由化学气相沉积法制备的未处理的单层MoS2的光致发光强度增强了约5倍.光致发光强度增强是由于在硫蒸气处理过程中,单层MoS2的部分硫空位被硫原子纳米团簇所填补,从而提高了光致发光效率.此外

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