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从理论上研究了GaAs为背景介质，电磁感应透明（EIT）气体灌注的二维椭圆柱长方晶格光子晶体的光子带隙，发现在优化光子晶体几何参数的基础上，通过调控原子气体的自发辐射率、无辐射衰变率、控制光Rabi频率、原子数密度等外参数可以使高频区域的能带从完全光子带隙向零带隙转变．
二维椭圆柱长方晶格可控光子带隙研究
【摘 要】
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从理论上研究了GaAs为背景介质，电磁感应透明（EIT）气体灌注的二维椭圆柱长方晶格光子晶体的光子带隙，发现在优化光子晶体几何参数的基础上，通过调控原子气体的自发辐射率、无辐射
【机 构】
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杭州师范大学物理系
【出 处】
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杭州师范学院学报(自然科学版)
【发表日期】
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2007年4期
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