Al和N极性AlN生长特性的第一性原理

来源 :厦门理工学院学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：HUANGKAO2

【摘要】

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使用第一性原理计算方法对Al和N极性AlN表面和生长特性的差异开展了研究.构建未吸附和吸附一个原子或原子层的Al和N极性AlN表面结构进行模拟和理论计算.结果表明：Al极性AlN比N

【作者】

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庄芹芹林伟王元樟张小英

【机构】

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厦门理工学院光电与通信工程学院,光电技术福建省高校重点实验室福建厦门361024,厦门大学福建省半导体材料及应用重点实验室

【出处】

：

厦门理工学院学报

【发表日期】

：

2013年3期

【关键词】

：

深紫外LED ALN 极性可控生长第一性原理计算 deep ultraviolet （DUV） LED A1N polar-controlled-grow

【基金项目】

：

福建省教育厅科技计划项目（JA10249,JB12182）

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使用第一性原理计算方法对Al和N极性AlN表面和生长特性的差异开展了研究.构建未吸附和吸附一个原子或原子层的Al和N极性AlN表面结构进行模拟和理论计算.结果表明：Al极性AlN比N极性AlN更稳定,并且在生长时将具有更高的生长速率;在富N的生长环境下,N极性AlN的生长容易在表面形成双N原子层而出现反型畴;Al和N原子在Al极性表面上更容易扩散,所以外延生长的Al极性面AlN将会具有更加平整的表面形貌.

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