【摘 要】
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以SnCl2·2H2O和HF为前驱体,采用溶胶水热法成功制备掺氟的SnO2纳米晶体薄膜,以研究氟掺杂对其半导体性能和电学性能的影响。采用XRD,SEM,DTA-TG,IR,霍尔效应测试仪等手
【基金项目】
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黑龙江省教育厅新世纪优秀人才项目;教育部归国留学人员项目
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以SnCl2·2H2O和HF为前驱体,采用溶胶水热法成功制备掺氟的SnO2纳米晶体薄膜,以研究氟掺杂对其半导体性能和电学性能的影响。采用XRD,SEM,DTA-TG,IR,霍尔效应测试仪等手段分别进行测试,分析F/Sn比对其性能的影响,获得低表面电阻薄膜的制备条件。结果表明SnO2晶体随着烧结温度的升高发生改变,当温度在450℃,热处理时间为30 min,生成金红石晶型,并且在此温度下,F原子可以有效地掺杂。F掺杂明显的降低了薄膜的电阻率,有效的提高了薄膜的载流子浓度和迁移率。并且在氟锡摩尔比F
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