【摘 要】
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运用密度泛函理论中的杂化密度泛函B3LYP方法,对RbSinq（n=2-12;q=±1）进行了系统的研究。结果发现:大多数RbSin±1团簇的基态结构与对应中性Rb Sin团簇的结构不相同,这与电离势
【机 构】
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通辽职业学院机电工程系; 南阳师范学院物理与电子工程学院; 南阳师范学院机械与电子工程学院;
【基金项目】
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2016年度河南省高等学校重点科研项目(16A430023)
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运用密度泛函理论中的杂化密度泛函B3LYP方法,对RbSinq（n=2-12;q=±1）进行了系统的研究。结果发现:大多数RbSin±1团簇的基态结构与对应中性Rb Sin团簇的结构不相同,这与电离势及电子亲和能的讨论结果相吻合;得失电子明显提高了体系的稳定性,Rb Si2,5+1与Rb Si2,5,10-1分别是对应团簇中的相对稳定结构;Rb原子总是占有正电荷并且其内部发生了spd杂化。最后讨论了团簇的极化率与最高占据轨道-最低未占据轨道能隙之间的关系。
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