<正> 在硅上热生长SiO₂膜的碱离子沾污是半导体工艺中的一个严重问题。用来解决这个问题比较见效的方法是在栅极介质上或者在钝化氧化层上形成一种磷硅玻璃层。大家知道,磷硅玻璃膜能够吸收可移动的离子杂质。多数是用电容电压法来研究可移动的电荷,这种方法对带电杂质的灵敏度强烈地依赖于它们在绝缘体中的位置,对于SiO₂-Si界面处的电荷灵敏度最高。另一方面,离子漂移技术不能测定电荷所处的位置。所有电学方法的共同缺点在于它们测量的是总的介质位移,或者是介质位移随时间的变化率。因此,不可能鉴别出原子尺度大小的离子迁移和介质极化。一种不受其它响影的、但尚未广泛应用的方法是测量放射性示踪元素的分布。You、Ko和Kuper,Kuper,以及Buck等人应用Na²⁴示踪元素进行实验所得结果表明,原来遍布在SiO₂中的Na,在磷硅玻璃层生长期间被部分地吸收到磷硅玻璃层中。钠的面密度在Kuper和他的同事的实验中是6.4×10¹⁴/cm²、而Buck和他的同事的实验中是大于1×10¹⁴/cm²,这两个数据部高得不太切合实际。在这里我们介绍一个实验事实:即最初仅仅在SiO₂-Si界面附近存在的Na[在数量上与被沾污栅极氧化层中存在的钠(≤10¹²/cm²)可相比拟],经短时间的磷扩散之后被消除了,而剩余的Na含量低于可测极限之下。