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Pd对Ni基n型SiC器件的欧姆接触特性影响

来源 :周口师范学院学报 | 被引量 : 4次 | 上传用户：GPSCMP

【摘 要】

：

采用电子束蒸发法沉积Ni膜,对Ni膜进行650~1 150℃的热处理,研究了不同Ni层处理温度对欧姆接触的影响,再经过900~1 050℃热处理,欧姆接触比电阻率能够达到10-6,验证了Ni2Si化合物促进了欧姆接触的形成;采用磁控溅射法沉积Pd和Au层,对比了Au/Pd/Ni电极和Au/Ni电极结构的欧姆接触特性,Au/Pd/Ni结构电极的欧姆接触特性比Au/Ni结构电极稳定,接触势垒低.

【作 者】

：

张奎 崔海花 

【机 构】

：

周口科技职业学院信息与电子工程系,周口科技职业学院机械工程系

【出 处】

：

周口师范学院学报

【发表日期】

：

2016年08期

【关键词】

：

势垒 比接触电阻 欧姆接触 barrier contract resistence ohmic contracts 

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采用电子束蒸发法沉积Ni膜,对Ni膜进行650~1 150℃的热处理,研究了不同Ni层处理温度对欧姆接触的影响,再经过900~1 050℃热处理,欧姆接触比电阻率能够达到10-6,验证了Ni2Si化合物促进了欧姆接触的形成;采用磁控溅射法沉积Pd和Au层,对比了Au/Pd/Ni电极和Au/Ni电极结构的欧姆接触特性,Au/Pd/Ni结构电极的欧姆接触特性比Au/Ni结构电极稳定,接触势垒低.

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