【摘 要】
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随着开关频率的提高,寄生电感对碳化硅(SiC)MOSFET的影响越来越明显,所引起的器件串扰和器件应力,严重制约了SiC MOSFET器件在高频下的应用。在实际设计驱动电路中,为了抑制
【机 构】
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湘潭大学物理与光电工程学院,国防科技大学电子科学与工程学院
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随着开关频率的提高,寄生电感对碳化硅(SiC)MOSFET的影响越来越明显,所引起的器件串扰和器件应力,严重制约了SiC MOSFET器件在高频下的应用。在实际设计驱动电路中,为了抑制器件的串扰,栅极低电压多选在-5～0V之间的数值,然而却忽略了栅极低电压对器件应力的影响。在此本文通过理论和仿真分析,研究了寄生电感存在时,不同栅极低电压下的过冲电压和关断瞬间的功耗,从而在设计SiC MOSFET驱动电路时,指导栅极低电压的选取。
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