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应用自旋极化的第一性原理对过渡金属（TM=V、Cr、Mn、Fe、Co和Ni）掺杂的CuGaSe2和CuGaS2进行研究。计算结果表明：Cr和Mn掺杂的Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ2稀磁半导体（DMS）表现为铁磁性质，而V、Fe、Co和Ni掺杂时表现为反铁磁性质。对稀磁半导体的磁矩研究，其结果符合一条简单的规律：当磁性离子3d的t2g轨道完全被占据时，磁性离子的磁矩比理论的期望值小；当磁性离子3d的t2g轨道处于全空时，磁性离子的磁矩比理论的期望值大；而当磁性离子3d的t2g轨道处于部分被占据时，磁性离子的磁矩与理论值的差距