【摘 要】
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在低阴极沉积电位条件下，使用表面活性剂改性硅烷溶液，实现了双-1,2-[γ（三乙氧基）硅丙基]四硫化物（BTSPS）在铝合金电极表面的电化学沉积，新的临界沉积电位（NCCP）约为-1．6V。研究表明，在
【机 构】
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湖南大学化学生物传感与计量学国家重点实验室
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在低阴极沉积电位条件下，使用表面活性剂改性硅烷溶液，实现了双-1,2-[γ（三乙氧基）硅丙基]四硫化物（BTSPS）在铝合金电极表面的电化学沉积，新的临界沉积电位（NCCP）约为-1．6V。研究表明，在低阴极沉积电位下铝合金表面能得到更厚、更致密的硅烷膜层，并且在改性后溶液中制备的膜层具有较高的极化阻力。表面活性剂的加入可以降低沉积时析氢的影响，提高硅烷沉积性能。临界沉积电位的降低，使得硅烷覆盖的铝合金电极比临界沉积电位（-0．8V）下的电极具有更好的抗腐蚀性能。
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