【摘 要】
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采用高真空电子束蒸发镀膜方法制备了不同结构的AgTe 多层膜,通过热处理得到了不同自掺杂浓度δ的非磁性Ag2+ δTe 薄膜.Ag2.1Te 薄膜在低温下有很大的负纵向磁电阻,并且出现电阻率和磁电阻的多
【机 构】
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中国科学院物理研究所与凝聚态物理中心磁学国家重点实验室!北京100080,中国科学院物理研究所与凝聚态物理中心磁学国家重点实验室!北京100080,中国科学院物理研究所与凝聚态物理中心磁学国家重点实验
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采用高真空电子束蒸发镀膜方法制备了不同结构的AgTe 多层膜,通过热处理得到了不同自掺杂浓度δ的非磁性Ag2+ δTe 薄膜.Ag2.1Te 薄膜在低温下有很大的负纵向磁电阻,并且出现电阻率和磁电阻的多重峰现象.这可能与Ag 的掺杂浓度δ和测量温度有很大关系,用掺杂的能带理论解释了有关的多重峰现象.
The AgTe multilayers with different structures were prepared by high-vacuum electron beam evaporation method. The non-magnetic Ag2 + δTe films with different self-doping concentrations δ were obtained by thermal treatment. The Ag2.1Te thin film has a great negative longitudinal magnetoresistance at low temperatures and shows multiple peaks of resistivity and magnetoresistance. This may have a great relationship with the doping concentration δ of Ag and the measurement temperature, and the related multiplet phenomenon is explained by the doping band theory.
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