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文中设计、制备并表征了同质集成的可见光双工通信芯片。采用硅衬底剥离和悬空氮化物薄膜背后减薄技术,在硅衬底GaN晶圆上制备了同质集成悬空p-n结InGaN/GaN多量子阱二极管(Multiple—Quantum—Well Diode,MQW-diode)和悬空波导的光子芯片。利用悬空p-n结InGaN/GaNMQW-diode可以同时发光和光探测的物理特性,将两个InGaN/GaNMQW-diode同时作为收发端,发出的调制光耦合进悬空光波导进行传输,并最后被另一个收发端接收,叠加信号可以通过自干扰消除法进