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用于OEIC的InP MISFET的研制

来源 :功能材料与器件学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：mscspn

【摘 要】

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用ＭＯＣＶＤ方法生长了ｎ＾＋－ＩｎＰ／ｎ－ＩｎＰ／ＳＩ－ＩｎＰ材料，以ＨｆＯ２为介质膜吵蒸发和选择化学腐蚀研制成栅宽０．００２ｍｍ、栅长为０．２ｍｍ的具有蘑菇状栅极结构的ＩｎＰ ＭＩＳＦＥＴ。真流特性测量表明，跨导ｇｍ＝８０－１１５ｍｓ／ｍｍ，开启电压ＶＴ≌－３．６２Ｖ，沟道的有效电子迁移率ｕｅｆｆ＝６７４ｃｍ＾２／Ｖ·Ｓ，界面态密度Ｎｓｓ＝９．５６&#21

【作 者】

：

陈朝 Maly. SA 

【机 构】

：

厦门大学物理系

【出 处】

：

功能材料与器件学报

【发表日期】

：

2000年3期

【关键词】

：

磷化铟 绝缘栅场效应管 光电集成 研制 InP MISFET OEIC 

【基金项目】

：

国家自然科学基金资助项目!(69486004),,福建省自然科学基金资助项目!(F97003)

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用ＭＯＣＶＤ方法生长了ｎ＾＋－ＩｎＰ／ｎ－ＩｎＰ／ＳＩ－ＩｎＰ材料，以ＨｆＯ２为介质膜吵蒸发和选择化学腐蚀研制成栅宽０．００２ｍｍ、栅长为０．２ｍｍ的具有蘑菇状栅极结构的ＩｎＰ ＭＩＳＦＥＴ。真流特性测量表明，跨导ｇｍ＝８０－１１５ｍｓ／ｍｍ，开启电压ＶＴ≌－３．６２Ｖ，沟道的有效电子迁移率ｕｅｆｆ＝６７４ｃｍ＾２／Ｖ·Ｓ，界面态密度Ｎｓｓ＝９．５６×１０＾１１ｃｍ＾－２。设计计算的特征频率ｆＴ≌

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