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本发明的Ar气保护下生长N-Al共掺杂p型ZnO晶体薄膜的方法采用的是磁控溅射法，反应室真空度抽至至少4×10^-3Pa，以铝的质量分数为0．1％～0．3％的锌铝合金为靶材，以纯度99．99％以上的N2O和纯度99．99％以上的Ar作为溅射气氛，Ar的分压为气体总压强的15％～25％，将两种气体分别由气体流量计控制输入装置的缓冲室，