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介绍了红外热成像技术的几种技术方案，重点介绍了以二极管作为红外探测器的非制冷红外热成像技术。通过理论分析和ISE-TCAD软件模拟、采用SOISi片流片和测试，分别得到了单晶Si二极管在固定偏置电流下的电压-温度响应特性，理论分析、模拟和实测结果三者吻合很好。在1μA的偏置电流下，单个二极管的温度灵敏度分别为1．40，1．35和1．52mV／K，三者的差别主要是由于理论分析和ISE-TCAD软件模拟中没有考虑欧姆接触电阻和引线电阻等串联电阻。