【摘 要】
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作为一种新型的Ⅱ-Ⅳ半导体材料，ZnO具有优良的光学和电学性能，在紫外光发射器件、自旋功能器件、气体探测器、表面声波器件等领域有着广阔的应用前景。首先介绍了ZnO材料和脉
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作为一种新型的Ⅱ-Ⅳ半导体材料，ZnO具有优良的光学和电学性能，在紫外光发射器件、自旋功能器件、气体探测器、表面声波器件等领域有着广阔的应用前景。首先介绍了ZnO材料和脉冲激光溅射法的一些相关内容，然后从材料制备角度着重阐述了目前利用脉冲激光沉积法（PLD）制备ZnO基薄膜的若干重要研究方向，例如P型掺杂、p-n结的制备、Mg掺杂、Cd掺杂和磁性离子掺杂等。
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