【摘 要】
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基于碳化硅半导体的高压电力电子器件如MOSFET、IGBT等有望用于智能电网系统中。这些器件的基本结构包含PN结及其变体,其特点是包括N-漂移层、P阱区及位于其中的N+和P+并列阱
【机 构】
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中国科学院半导体研究所,全球能源互联网研究院,
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基于碳化硅半导体的高压电力电子器件如MOSFET、IGBT等有望用于智能电网系统中。这些器件的基本结构包含PN结及其变体,其特点是包括N-漂移层、P阱区及位于其中的N+和P+并列阱区,形成了P+(N+)/P/N-结构。一般采用高温高能离子注入的方式制备此结构,具有较高的难度。本文采用外延生长的方法实现P+/P/N-同质多层结构,以P型阶梯掺杂的方式实现了一种4H-SiC多层薄膜同质外延材料。与注入方法相比,本方法在阱区几何尺寸、掺杂精度上具有优势,可望用于今后制备性能更优的同类高压器件。
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