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用光电流作用谱、光电流-电势图等光电化学方法研究了聚噻吩（PTh）膜和纳米结构Ti02／聚噻吩（ITO／TiO2／PTh）复合膜的光电转换性质。结果表明，PTh膜的禁带宽度为2．02eV，价带位置为-5．86eV，导带位置为-3．84eV。在ITO／TiO2／PTh复合膜电极中存在p-n异质结，在一定条件下异质结的存在有利于光生电子-空穴对的分离，PTh修饰ITO／TiO2电极可使光电流产生波长发生明显红移，从而提高了宽禁带半导体的光电转换效率。在实验条件下，单色光的光电转换效率最高可达到13％。