高温热处理后的n—Ge的霍尔效应与电阻率

来源 :黑龙江大学自然科学学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：hahabiaoren

【摘要】

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给出了具有相同电阻率的ｎ－Ｇｅ样品经高温热处理后的霍尔系数和电阻率的实验结果，用热缺陷补偿及反型层模型对常温反常霍尔效应进行了定性解释，进行了证实了反型层理论在常区的正确性

【作者】

：

鲁刚

【机构】

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辽阳石油化工高等专科学校基础部

【出处】

：

黑龙江大学自然科学学报

【发表日期】

：

1996年4期

【关键词】

：

电阻率热处理热缺陷霍尔效应高温半导体钆

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给出了具有相同电阻率的ｎ－Ｇｅ样品经高温热处理后的霍尔系数和电阻率的实验结果，用热缺陷补偿及反型层模型对常温反常霍尔效应进行了定性解释，进行了证实了反型层理论在常区的正确性。

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